Монокристаллическая кремниевая пластина

ФЗ Кремниевая пластина Метод выращивания Float Zone, в основном это легкие легирующие примеси или нелегирующие примеси с высоким удельным сопротивлением. Удельное сопротивление в основном >1000 Ом·см.Однако в некоторых случаях легирование кремниевых стержней зонной плавки также может быть достигнуто за счет освещения NTD и легирования газом GD для достижения лучшей однородности и более низкого удельного сопротивления.Если вам нужны какие-либо характеристики кремниевой подложки, вы можете связаться с нами.

Пластина монокристаллического кремния ЧохральскогоМетод роста: CZ Основной процесс состоит в том, чтобы поместить поликристаллический кремний в тигель, нагреть его, чтобы расплавить, затем зажать затравочный кристалл монокристалла кремния и подвесить его над тиглем. Потянув прямо, вставьте один конец в расплав, пока он не расплавится, затем медленно поверните и потяните вверх. Таким образом, монокристалл будет формироваться путем постепенной конденсации на границе раздела жидкости и твердого тела. Поскольку весь процесс можно рассматривать как процесс репликации затравочного кристалла, получаемый кристалл кремния представляет собой монокристалл кремния.Метод Чохральского имеет относительно высокое содержание углерода и кислорода, множество примесей и дефектов, но стоимость невысока. Обычно кремниевая пластина Cz легируется фосфором, бором, Sb, As.

В соответствии с технологическими методами его можно разделить на монокристалл CZ Si, монокристалл FZ Si и монокристалл MCZ Si. Монокристалл кремния зонной плавки в основном используется для изготовления силовой электронной техники и мощных транзисторов. Монокристалл магнитного кремния в основном используется для изготовления устройств CCI. 90% продукции производится из монокристаллов кремния Чохральского, которые используются для изготовления интегральных схем и других дискретных компонентов.Его можно разделить на кремниевый монокристалл уровня схемы, кремниевый монокристалл детекторного уровня и т. д. в зависимости от его назначения.Мы можем поставить CZ, MCZ, FZ m.слиток онокристаллического кремния.

Пластина оксида кремния представляет собой термический рост однородного оксидного слоя на голой поверхности кремниевой пластины. Процесс окисления включает в себя высокотемпературное сухое окисление и высокотемпературное влажное окисление.

Осаждая металлические пленки на поверхности кремниевых пластин, можно получить такие компоненты, как электродные провода и транзисторы. Эти металлические пленки обладают хорошей проводимостью и стабильностью, что может обеспечить нормальную работу схемы. Обычно металлические пленки изготавливаются из золота, платины, алюминия, меди, серебра и так далее.

Пленка Si3N4 на кремниевой пластине методом LPCVD.

Резка кремниевых пластин в основном используется в области полупроводников, оптоэлектроники и солнечной энергетики и является одним из важных процессов производства чипов и оптоэлектронных компонентов. 

12-дюймовый манекен использовался для испытаний перед началом производства.Также применяется для тестирования оборудования。У нас есть большой запас 12-дюймовых кремниевых пластин по очень низкой цене.Weclome отправьте нам ваш запрос.

Он подходит для тестирования образцов с сильными пиками поглощения во многих диапазонах и позволяет исключить влияние фонового шума.У нас есть запас кремниевых пластин с нулевой дифракцией. Добро пожаловать к нам.

Он подходит для тестирования образцов с сильными пиками поглощения во многих диапазонах и позволяет исключить влияние фонового шума.У нас есть запас кремниевых пластин с нулевой дифракцией. Добро пожаловать к нам.

Процесс эпитаксии на самом деле представляет собой метод выращивания тонкослойных монокристаллов, который включает выращивание нового монокристаллического слоя с определенным типом проводимости, удельным сопротивлением, толщиной и структурой решетки, соответствующей объемным монокристаллам вдоль направления кристалла, на подложке из монокристаллов кремния под действием определенные условия.