Пластины карбида кремния (SiC) обычно представляют собой монокристаллы, но эти монокристаллические пластины SiC могут состоять из различных поликристаллических форм, включая 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC и т. д. Каждая поликристаллическая форма имеет свои уникальные свойства.

3C-SiC имеет кубическую структуру.

4H-SiC имеет тетрагональную структуру.

6H-SiC имеет двойную гексагональную структуру.

 

Их различия в схеме расположения атомов и координационном числе. 3C-SiC имеет самую высокую теоретическую скорость электронов, но также имеет самые большие следы примесной коррозии.

4H-SiC и 6H-SiC имеют более низкую стоимость.эффективность и надежность оборудования.

 

3C-SiC имеет кубическую кристаллическую структуру, в которой каждый атом кремния окружен четырьмя атомами углерода и четырьмя соседними атомами кремния. Эта структура имеет самую высокую теоретическую скорость электронов, но также подвержена примесей, что приводит к появлению следов коррозии из-за примесей.

 

И 4H-SiC, и 6H-SiC принадлежат к гексагональной кристаллической системе. Их атомное расположение различно, но оба имеют лучшую экономическую эффективность и надежность оборудования, поскольку их кристаллическая структура лучшая стабильность и более низкие концентрации примесей, что позволяет им работать при высоких температурах, высокой мощности и высоком напряжении.