Новости

Согласно классификации производственных процессов полупроводниковые кремниевые пластины можно в основном разделить на полированные пластины, эпитаксиальные пластины и высококачественные материалы на основе кремния, представленные кремниевыми пластинами КНИ. Слитки монокристаллического кремния разрезаются, шлифуются и полируются для получения полированных пластин. Полированная пластина подвергается эпитаксиальному выращиванию с образованием эпитаксиальной пластины, а полированная пластина подвергается таким процессам, как окисление, связывание или ионная имплантация, с образованием кремниевой пластины КНИ.

Согласно классификации размеров, размер полупроводниковых кремниевых пластин (рассчитанный по диаметру) в основном включает такие характеристики, как 125 мм (5 дюймов), 150 мм (6 дюймов), 200 мм (8 дюймов) и 300 мм (12 дюймов).

Когда размер кремниевой пластины становится больше, количество чипов на одной кремниевой пластине увеличивается, что может повысить эффективность производства и снизить производственные затраты. Площадь кремниевой пластины диаметром 300 мм в 2,25 раза больше площади кремниевой пластины диаметром 200 мм. Что касается количества произведенных чипов, на примере чипа размером 1,5×1,5 см количество кремниевых пластин диаметром 300 мм составляет 232, а количество кремниевых пластин диаметром 200 мм — 88. Кремниевая пластина диаметром 300 мм — это кремниевая пластина диаметром 200 мм. В 2,64 раза больше количества фишек.